盈月电子推出基于源表的场效应管测试系统

场效应晶体管（FET）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强力竞争者。

场效应管示意图

FET属于电压控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。为保证FET在使用过程中能够正常工作，IV特性分析对衡量FET的性能好坏有着至关重要的作用。测试FET的IV特性有利于获取有关器件的参数，研究制造技术与工艺变化等因素的影响。

理想场效应管基本特性曲线

近期，盈月电子依照深圳某高校的需求，开发出一套使用源表测量场效应管特性的测试系统，该系统主要由两台源表，测试夹具以及上位机软件组成。

场效应管测试框图

FET是多数载流子器件，其载流能力通过施加的电压的变化而变化。FET有三个主要端子：栅极、漏极和源极。施加到栅极的电压（V_G）控制从源极I_S流到漏极I_D的电流。在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。FET常见的IV特性曲线如漏极特性曲线（V_DS-I_D），通过该测试在SMU CH1调节栅极电压（V_G），而SMU CH2扫描漏源电压（V_DS）并测量得到的漏极电流（I_D）。